SI3467DV-T1-GE3

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

SI3467DV-T1-GE3 datasheet

• Маркировка
  SI3467DV-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SI3467DV-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 3.8 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.054 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TSOP-6 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 1.14 W Factory Pack Quantity: 3000 Part # Aliases: SI3467DV-GE3
• Количество страниц
  10 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI3467DV-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 187,53 KB